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人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 424-429.

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Fe掺杂CoSb3化合物的热电性能及电子结构研究

朱云广;沈鸿烈;陈海力;鲁林峰;管浩   

  1. 南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016
  • 出版日期:2011-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    江苏省科技支撑计划项目(BE2008020)

Thermoelectric Properties and Electronic Structure of Fe-doped CoSb3 Compounds

ZHU Yun-guang;SHEN Hong-lie;CHEN Hai-li;LU Lin-feng;GUAN Hao   

  • Online:2011-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算.结果表明:在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3~0.5之间;CoSb3的费米而位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为P型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co37Fe0.3Sb12化合物的功率因子在600 K时出现1406.31μW/ m·K2的最高值,是未掺杂试样的功率因子最高值的7.4倍.

关键词: Co4-xFexSb12;冷等静压;热电性能;电子结构;能带结构;态密度

中图分类号: