大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (2): 541-541.

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大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡

夏士兴;雷作涛;王猛;杨春晖;李纲;姚宝权

哈尔滨工业大学化工学院,哈尔滨,150001;哈尔滨工业大学可调谐(气体)激光技术国防科技重点实验室,哈尔滨,150001

出版日期:2011-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(91022024);黑龙江省科技攻关资助项目(GC305A205)

Growth and Mid-infrared Optical Parametric Oscillator of Large ZnGeP2 Single Crystals

XIA Shi-xing;LEI Zuo-tao;WANG-meng;YANG Chun-hui;LI-gang;YAO Bao-quan

Online:2011-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用垂直布里奇曼方法生长了ZnGeP2单晶体,晶体毛坯尺寸达φ30 mm×120mm.晶体在2.05μm吸收系数0.05cm-1,3～8 μm吸收系数0.01cm-1,光损伤阈值2.0±0.3 J/ cm2.利用2.05μm Tm,Ho:CdVO4激光器为泵浦源,脉冲重复频率10 kHz.当泵浦功率16.3 W时,3～5μm光参最振荡输出8.7 W,光-光转换效率为53;,斜率效率为64;.

中图分类号:

夏士兴;雷作涛;王猛;杨春晖;李纲;姚宝权. 大尺寸ZnGeP2晶体生长与中红外光参量振荡[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(2): 541-541.

XIA Shi-xing;LEI Zuo-tao;WANG-meng;YANG Chun-hui;LI-gang;YAO Bao-quan. Growth and Mid-infrared Optical Parametric Oscillator of Large ZnGeP2 Single Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(2): 541-541.

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