ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (4): 848-852.

ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究

张浩;李琳;宋平新;张迎九;冷雨欣;许毅;董永军

郑州大学物理工程学院,郑州,450052;中国科学院上海光学精密机械研究所强场激光物理国家重点实验室,上海,201800

出版日期:2011-08-15 发布日期:2021-01-20

Preparation and Optical Properties of ZnSe and Cr∶ ZnSe Single Crystal Grown by Temperature Gradient Technique

ZHANG Hao;LI Lin;SONG Ping-xin;ZHANG Ying-Jiu;LENG Yu-Xin;XU Yi;DONG Yong-Jun

Online:2011-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用温度梯度法(TGT)生长了直径为32 mm大尺寸ZnSe晶体.对生长出的ZnSe单晶进行了光学性能分析.采用磁控溅射方法在ZnSe晶体上镀铬膜,通过热扩散方法成功制备出中红外Cr∶ ZnSe激光晶体,并研究了Cr∶ZnSe晶体的光谱性能.吸收光谱测试观察到了Cr2+(3d4)取代四面体配位Zn2的5T2→5E能级的跃迁在1800nm的吸收带.77 K低温的光致发光光谱表明Cr∶ ZnSe晶体具有中心波长位于2.2 μm的宽谱带发射特征.

中图分类号:

O782

张浩;李琳;宋平新;张迎九;冷雨欣;许毅;董永军. ZnSe和Cr∶ ZnSe单晶的温梯法制备及光学性能研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 848-852.

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