适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y2(MoO4)3∶DY3+的发光特性

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1467-1470.

适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y2(MoO4)3∶DY3+的发光特性

龚慧;林林;丘志海;黄兴勇;郑志强

福建师范大学物理与光电信息科技学院,福州,350007

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
福建省科技重大专项(2007HJ0004-2);福建省教育厅资助项目(JK2011008);福建省青年人才创新项目(2007F3027)

Luminescent Properties of White Phosphor Y2 ( MoO4 ) 3 ∶ DY3 + for NUV LED Chips

GONG Hui;LIN Lin;QIU Zhi-hai;HUANG Xing-yong;ZHENG Zhi-qiang

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用高温固相法制备纯相Y2( MoO4)3∶Dy3+荧光粉,并对其晶场及发光性质进行研究.晶场分析结果表明:Y3+格位晶场结构近似为对称性很低的C2,因此样品在近紫外区有很强f-f激发峰,适合于近紫外LED芯片.在387 nm激发下,主要发射峰为Dy3+的特征发射487 nm(蓝光,4F9/2→6H15/2)和574 nm(黄光,4F9/2→6H13/2).增大Dy3+掺杂浓度,黄光与蓝光的强度比值(Y/B)随之增大.387 nm激发下,不同Dy3+掺杂浓度荧光粉发射光的色坐标均在白光区域中.以上结果表明Y2( MoO4)3∶Dy3+是一种新型的适于近紫外LED芯片激发的白光荧光粉,发光性能良好.

中图分类号:

O433

龚慧;林林;丘志海;黄兴勇;郑志强. 适用于近紫外LED芯片的白光荧光粉Y2(MoO4)3∶DY3+的发光特性[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1467-1470.

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