Eu3+,Tb3+掺杂对RF磁控溅射ZnO薄膜结构的影响

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1494-1499.

Eu3+,Tb3+掺杂对RF磁控溅射ZnO薄膜结构的影响

郭冠军;罗莉;戴强钦;黄方映;姚丽丽;董国帅

广东工业大学物理与光电工程学院,广州,510006

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(A040410.10774031)

Influence of Eu3+ , Tb3+ Co-doping on ZnO Films by RF Magnetron Sputtering

GUO Guan-jun;LUO Li;DAI Qiang-qin;HUANG Fang-ying;YAO Li-li;DONG Guo-shai

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用RF磁控溅射技术,不同条件下在不同衬底上制备了纯ZnO及Eu3+,Tb3+共掺ZnO薄膜.研究了薄膜的衬底、沉积时间和衬底温度对ZnO薄膜结构及形貌的影响.使用X射线衍射仪(XRD)对样品的结构进行了表征,结果表明:玻璃和石英衬底上的薄膜分别在300℃、镀膜0.5h和常温下、镀膜lh时薄膜具有良好的c轴择优取向,单品质量较好；而硅衬底上的薄膜在300℃、镀膜lh时具有良好的(103)轴择优取向,单品质量略有降低.

中图分类号:

O484

郭冠军;罗莉;戴强钦;黄方映;姚丽丽;董国帅. Eu3+,Tb3+掺杂对RF磁控溅射ZnO薄膜结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1494-1499.

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