含磁单负材料一维光子晶体的隧穿模特性

人工晶体学报 ›› 2011, Vol. 40 ›› Issue (6): 1612-1616.

含磁单负材料一维光子晶体的隧穿模特性

李文胜;黄海铭;张琴;付艳华;是度芳

湖北汽车工业学院理学系,十堰,442002;湖北汽车工业学院理学系,十堰442002;华中科技大学物理系,武汉430074

出版日期:2011-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖北省教育厅科研项目(B20111807)

Tunneling Model Properties of One-dimensional Photonic Crystal Containing Magnetic Single-Negative Materials

LI Wen-sheng;HUANG Hai-ming;ZHANG Qin;FU Yan-hua;SHI Du-fang

Online:2011-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 构造了由磁单负材料A、普通材料B( SiO2)和C(TiO2)组成的(AB)NC(BA)N型一维光子晶体,数值计算结果表明在3100～3700 nm的波长范围内出现了6个隧穿模.这些隧穿模有不同于传统缺陷模的特征:入射角θ、C介质层的位置、光子晶体的周期数N和A、B两层介质的几何厚度都不影响各隧穿模的位置.在θ＞46θ时,长波段的隧穿模消失.磁单负材料的介电常数变化,不影响隧穿模的个数和透射率.A、B两层介质的几何厚度变化量小于5;时,不影响各隧穿模的透射率,而C介质层的几何厚度对隧穿模的位置有影响.C介质层移动的单元数相同,隧穿模的变化也相同.

中图分类号:

O734

李文胜;黄海铭;张琴;付艳华;是度芳. 含磁单负材料一维光子晶体的隧穿模特性[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1612-1616.

LI Wen-sheng;HUANG Hai-ming;ZHANG Qin;FU Yan-hua;SHI Du-fang. Tunneling Model Properties of One-dimensional Photonic Crystal Containing Magnetic Single-Negative Materials[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1612-1616.

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