摘要： 当硅基发光材料得到广泛应用时,为了给硅基材料的设计及应用提供理论依据,利用基于密度泛函理论的第一性原理,对Er掺杂在Si纳米晶粒不同位置的结构稳定性、电子与光学性质进行了研究.结果表明:Er掺杂在Si纳米晶粒的中心位置时,结构最稳定；Er掺杂后的Si纳米晶粒引入了杂质能级,最终导致禁带宽度变窄；掺杂后的Si纳米晶粒在低能区出现了一个新的吸收峰,当Er原子向表面位置移动时,新的吸收峰峰值逐渐减小,甚至消失.
中图分类号:
王英龙;王秀丽;梁伟华;傅广生. Er掺杂SiNP电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(6): 1617-1622.
WANG Ying-long;WANG Xiu-li;LIANG Wei-hua;FU Guang-sheng. First-principles Study of Electronic Structure and Optical Properties for Er-doped Silicon Nanoparticles[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(6): 1617-1622.
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