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人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (1): 20-23.

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硫化时间对CuInS2薄膜微结构的影响

夏冬林;徐俊;刘俊;雷盼   

  1. 硅酸盐建筑材料国家重点实验室(武汉理工大学),武汉,430070
  • 出版日期:2012-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金重点项目(51032005);材料复合新技术国家重点实验室(武汉理工大学)开放基金

Effects of Sulfurization Time on Microstructure of CuInS2 Films

XIA Dong-lin;XU Jun;LIU Jun;LEI Pan   

  • Online:2012-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用磁控溅射技术在镀Mo玻璃基片上沉积Cu-In金属预制膜后在N2气氛下硫化制备CuInS2薄膜.研究热处理硫化时间对CuInS2薄膜的表面形貌和晶相结构性能的影响.利用场发射扫描电镜(FE-SEM)、X射线衍射(XRD)和Raman光谱等测试手段对薄膜的表面形貌和晶相结构进行表征.实验结果表明,采用磁控溅射金属预制膜经适当的时间硫化所制备的CuInS2薄膜为黄铜矿结构,随着硫化时间的增加,CuInS2薄膜的晶粒的形貌由球形结构向片状结构转化,并且硫化时间越长,所得薄膜的结晶性能越好,但过长的硫化时间会生成Cu-Au相而导致薄膜质量的劣化.

关键词: 磁控溅射;CuInS2薄膜;固态源硫化法;微观结构

中图分类号: