CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 265-269.

CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析

唐婧婧;赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;黄巍;刘维佳;张聪

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50732005);国家高技术研究发展计划(863)(2007AA03ZA43)

Annealing and IR Optical Homogeneity of CdGeAs2 Crystal

TANG Jing-jing;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;HE Zhi-yu;CHEN Bao-jun;HUANG Wei;LIU Wei-jia;ZHANG Cong

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8 μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片红外透过率和面扫描红外透过图像进行了对比分析,研究了晶体的红外均匀性.结果表明,CdGeAs2晶体在多晶粉末包裹下经450℃退火150 h后,其红外透过率和红外透过均匀性都得到较大程度的改善,其中在2.3 ～4μm和4～8μm波段的改善效果尤为显著；分析了影响晶体红外透过率和均匀性的主要因素,探讨了改善晶体均匀性的可能途径.研究结果对于快速评判CdGeAs2晶片质量具有重要的实用价值.

中图分类号:

O734

唐婧婧;赵北君;朱世富;何知宇;陈宝军;黄巍;刘维佳;张聪. CdGeAs2晶体退火与红外光学均匀性分析[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 265-269.

TANG Jing-jing;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;HE Zhi-yu;CHEN Bao-jun;HUANG Wei;LIU Wei-jia;ZHANG Cong. Annealing and IR Optical Homogeneity of CdGeAs2 Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 265-269.

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