C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 376-380.

C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究

刘睿;尚家香

北京航空航天大学材料科学与工程学院,北京,100191

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51071011)

First Principle Study on C, N Doped Ti3O5

LIU Rui;SHANG Jia-xiang

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用第一性原理计算方法与准谐德拜模型相结合研究了C、N取代掺杂O原子对β-Ti3O5和λ-Ti3O5的电子结构以及相变温度的影响规律.结果表明:C元素对两相的电学特性影响较大,掺杂后β-Ti3O5和λ-Ti3O5的带隙宽度分别增加至1.25 eV和1.5 eV；氮元素的掺杂使β-Ti3O5的带隙增大到0.5 eV,同时仍然保持λ-Ti3O5的金属性不变,加剧了相变前后两相的电学差异,N掺杂使Ti3O5更适于应用在光学存储领域；同时对N掺杂Ti3O5的相变影响进行了研究,发现N掺杂可以有效降低相变温度.

中图分类号:

TM283

刘睿;尚家香. C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 376-380.

LIU Rui;SHANG Jia-xiang. First Principle Study on C, N Doped Ti3O5[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 376-380.

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C和N元素掺杂Ti3O5的第一性原理研究

First Principle Study on C, N Doped Ti3O5

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