溅射法制备YAG:Ce3+荧光薄膜

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (2): 381-384.

溅射法制备YAG:Ce3+荧光薄膜

高康;朱归胜;徐华蕊

桂林电子科技大学材料科学与工程学院,桂林,541004

出版日期:2012-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(21176051;61166008);教育部科学技术研究重点项目(211141)

Preparation of YAG: Ce3+ Phosphor Thin Film by Sputtering Technique

GAO Kang;ZHU Gui-sheng;XU Hua-rui

Online:2012-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以自制铈掺杂立方相钇铝石榴石(YAG:Ce3+)荧光粉为原料经冷静压压制得到粉末靶材,在纯氩气气氛下通过射频磁控溅射法在石英玻片上镀膜,随后在氩气气氛下1100℃/3 h热处理得到YAG:Ce3+荧光薄膜.系统探讨了溅射功率、靶间距等因素对YAG:Ce3+荧光薄膜物理和发光性能的影响.分析发现采用粉末靶可以明显提高YAG:Ce3+薄膜溅射沉积速率,在靶间距20mm,溅射功率300 W的制备条件下得到的荧光薄膜经450 nm蓝光激发时,可发射524 nm的光,较商用荧光粉发射峰略有蓝移.粉末靶溅射制备荧光薄膜具有大规模实际应用潜力.

中图分类号:

O484

高康;朱归胜;徐华蕊. 溅射法制备YAG:Ce3+荧光薄膜[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(2): 381-384.

GAO Kang;ZHU Gui-sheng;XU Hua-rui. Preparation of YAG: Ce3+ Phosphor Thin Film by Sputtering Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(2): 381-384.

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