单质直接气相生长ZnMgSe单晶

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (3): 555-558.

单质直接气相生长ZnMgSe单晶

田世俊;李焕勇

西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2012-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51072164);国家863专题基金资助项目(2009AA03Z431)

Growth of ZnMgSe Single Crystals by Chemical Vapor Transport Method

TIAN Shi-jun;LI Huan-yong

Online:2012-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用高纯Zn、Mg、Se2单质为原料,以NH4Cl作为反应输运剂,用化学气相输运(CVT)的方法一步成功生长出ZnMgSe单晶.通过XRD、RO-XRD、EDS、紫外可见分光光度计和光致发光(PL)技术研究了ZnMgSe晶体的结构、成份以及光学特性.结果表明:ZnMgSe单晶具有良好的结晶性能,在400～800 nm范围内透过率达到40;～50;,在2.2 ～2.6 eV范围内存在与深能级电子复合相关的发光带.研究证明由Zn、Mg、Se2单质在输运剂NH4Cl辅助下一步直接合成ZnMgSe单晶是可行的.

中图分类号:

田世俊;李焕勇. 单质直接气相生长ZnMgSe单晶[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(3): 555-558.

TIAN Shi-jun;LI Huan-yong. Growth of ZnMgSe Single Crystals by Chemical Vapor Transport Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(3): 555-558.

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