坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (4): 844-848.

坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能

沈琦;陈红兵;王金浩;蒋成勇;潘建国;徐军

新型功能材料及其制备科学国家重点实验室培育基地,宁波大学材料科学与工程研究所,宁波315211;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201800

出版日期:2012-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
973计划前期研究专项(2011CB612306);国家自然科学基??21171102);宁波市自然科学基金(2010A610165);宁波大学科研基金(xkl09074,xkl067);宁波大学王宽诚幸福基金

Scintillation Property of Cadium Tungstate Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Technique

SHEN Qi;CHEN Hong-bing;WANG Jin-hao;JIANG Cheng-yong;PAN Jian-guo;XU Jun

Online:2012-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以高温固相反应合成CdWO4多晶为原料,采用垂直坩埚下降法生长出大尺寸完整CdWO4晶体,就所生长CdWO4晶体进行了闪烁发光性能的测试表征,包括紫外可见透射光谱、光致发光光谱、光致发射衰减时间、X射线激发发射光谱、相对光产额以及γ射线辐照硬度.结果表明,该单晶在可见光区具有良好的光学透过性,其光致发光与X射线激发发射光的峰值波长位于475 nm左右,其光致发射衰减时间为842 ns；以CsI∶Tl晶体为基准样品,测得γ射线激发发光的光产额相当于基准样品的51.5;～57.4;,在γ射线辐照条件下其辐照硬度达107 rad.

中图分类号:

O78
O734

沈琦;陈红兵;王金浩;蒋成勇;潘建国;徐军. 坩埚下降法生长钨酸镉晶体的闪烁性能[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(4): 844-848.

SHEN Qi;CHEN Hong-bing;WANG Jin-hao;JIANG Cheng-yong;PAN Jian-guo;XU Jun. Scintillation Property of Cadium Tungstate Single Crystal Grown by Vertical Bridgman Technique[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(4): 844-848.

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