低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1211-1215.

低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响

王英龙;高建聪;褚立志;邓泽超;丁学成;傅广生

河北大学物理科学与技术学院,保定,071002

出版日期:2012-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973)(2011CB612305);国家自然科学基金(10774036);河北省自然科学基金(E2011201134,E2012201035);河北省高等学校科学研究项目(Q2012084)

Influence of Additional Ar Gas Flow on the Size and Distribution of Si Nanoparticles by Laser Deposition in Low Pressure

WANG Ying-long;GAO Jian-cong;CHU Li-zhi;DENG Ze-chao;DING Xue-cheng;FU Guang-sheng

Online:2012-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在烧蚀点正上方0.35 cm、距靶0.7 cm处引入Ar气流,保持环境气压0.3 Pa,烧蚀高阻抗单晶硅(Si)靶.在烧蚀点正下方0.35 cm,距靶0.5 cm、0.7 cm、1.4 cm、2.1 cm、2.8 cm、3.0 cm和3.5cm处水平放置衬底来收集纳米Si晶粒.利用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、Raman散射对样品表面形貌和微观结构进行分析表征.结果表明:在引入气流前后,纳米Si晶粒的尺寸均随着与靶距离的增加而逐渐减小；在同一位置,引入气流比不引入气流晶粒尺寸小,面密度大；在3.0～3.5 cm处,不引入气流时的样品不再有纳米Si晶粒,而引入气流的还存在纳米Si晶粒.

中图分类号:

O484

王英龙;高建聪;褚立志;邓泽超;丁学成;傅广生. 低压环境中外加氩气流对激光沉积纳米硅晶粒尺寸及分布的影响[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1211-1215.

WANG Ying-long;GAO Jian-cong;CHU Li-zhi;DENG Ze-chao;DING Xue-cheng;FU Guang-sheng. Influence of Additional Ar Gas Flow on the Size and Distribution of Si Nanoparticles by Laser Deposition in Low Pressure[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1211-1215.