n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (5): 1446-1450.

n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化

张研研;任瑞晨;史力斌

辽宁工程技术大学矿业学院,阜新123000;渤海大学数理学院,锦州121013;辽宁工程技术大学矿业学院,阜新,123000;渤海大学数理学院,锦州,121013

发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部科学技术重点项目(211035)

Simulation Optimizing of Back Surface Field of Bifacial HIT Solar Cell on n-type Substrate

ZHANG Yan-yan;REN Rui-chen;SHI Li-bin

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用美国滨州大学研发的AMPS-1D软件,模拟了背场对TCO/a-Si∶ H(p+)/a-Si∶ H(i)/c-Si(n) /a-Si∶ H(i) /a-Si∶ H(n+)/TCO双面HIT异质结太阳电池光伏特性的影响.结果表明在背场掺杂浓度NB≥1×1018cm-3时,带隙在1.60～ 1.92 eV范围内的宽带隙薄膜硅材料比较适合作为双面HIT太阳电池的背场.模拟中还发现,背场n+层掺杂浓度对太阳电池性能的影响要受到该层隙间态密度的制约,隙间态密度越大,则对背场掺杂浓度的要求越高.

中图分类号:

TK511.4

张研研;任瑞晨;史力斌. n型衬底上双面HIT太阳电池背场的模拟优化[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1446-1450.

ZHANG Yan-yan;REN Rui-chen;SHI Li-bin. Simulation Optimizing of Back Surface Field of Bifacial HIT Solar Cell on n-type Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1446-1450.