ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性

人工晶体学报 ›› 2012, Vol. 41 ›› Issue (6): 1700-1704.

ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性

张仁刚;卓雯;刘继琼;王红军;高恒

武汉科技大学应用物理系,武汉430065;冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室,武汉430081;武汉科技大学应用物理系,武汉,430065

发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖北省教育厅科研计划重点项目(D20121109);武汉科技大学大学生科技创新基金研究项目(11ZRA119);冶金工业过程系统科学湖北省重点实验室开放基金项目(C201022)

Structural and Optical Properties of ZnO Thin Films after Thermal Sulfidation in Sulfur Vapor

ZHANG Ren-gang;ZHUO Wen;LIU Ji-qiong;WANG Hong-jun;GAO Heng

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频反应磁控溅射沉积了ZnO薄膜,然后在硫蒸气中于500 ℃硫化得到ZnS薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见透射光谱、俄歇电子能谱(AES)和多普勒展宽谱对薄膜进行了表征.ZnO硫化转变依赖于硫化时间.当硫化时间小于18 h时,ZnO只能部分转变为ZnS.只有当硫化时间等于或大于18h时,才能完全生成六方相ZnS薄膜,沿(0 0 10)晶面择优生长,硫化前后薄膜晶粒尺寸有显著变化.所得ZnS薄膜光吸收边宽化、光透过率低,ZnS薄膜带隙为3.54～3.66 eV.

中图分类号:

O484

张仁刚;卓雯;刘继琼;王红军;高恒. ZnO薄膜在硫蒸气中热硫化后结构和光学特性[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(6): 1700-1704.

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