SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (10): 2024-2027.

SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响

刘兵;陈治明;封先锋;林生晃;王风府

西安理工大学,西安,710048

出版日期:2013-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省教育厅服务地方专项计划(2012JC20);陕西省工业攻关项目(2012KD6-21)

Effect of Back Coating of Seed on SiC Crystal Quality

LIU Bing;CHEN Zhi-ming;FENG Xian-feng;LIN Sheng-huang;WANG Feng-fu

Online:2013-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在SiC单晶生长过程中,与籽晶背面升华有关的热分解腔等缺陷的形成严重影响了生长晶体的品质.本文介绍一种可以有效防止籽晶背面升华的预处理方法,即在粘贴籽晶之前,用直流反应溅射法在籽晶背面镀一层均匀、致密的耐高温薄膜TiN.实验结果表明,用这种方法生长的晶体中未发现热分解腔和六方空洞,而且微管密度也有所降低.

中图分类号:

刘兵;陈治明;封先锋;林生晃;王风府. SiC籽晶背面镀膜对生长晶体品质的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(10): 2024-2027.

LIU Bing;CHEN Zhi-ming;FENG Xian-feng;LIN Sheng-huang;WANG Feng-fu. Effect of Back Coating of Seed on SiC Crystal Quality[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(10): 2024-2027.

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