升华法生长氮化铝晶体的热场分析

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (11): 2275-2279.

升华法生长氮化铝晶体的热场分析

武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征;郑伟;徐百胜

深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

出版日期:2013-11-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金重点项目(61136001);973计划前期研究专项(2010CB635115);深圳市科技计划项目(20120821110533437)

Thermal Field Analysis of AlN Crystal Grown by Sublimation Method

WU Hong-lei;ZHENG Rui-sheng;LI Meng-meng;YAN Zheng;ZHENG Wei;XU Bai-sheng

Online:2013-11-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文使用有限元法模拟氮化铝晶体生长系统的温度场,分析了坩埚的位置、感应线圈的匝间距以及原料与晶体之间的距离对温度场分布的影响.结果表明:坩埚位置主要影响系统中最高温度的位置及温度梯度的大小原料与结晶体之间的距离仅对温度梯度有影响;感应线圈的匝间距则影响加热效率的高低.通过合理优化以上三个条件,可以获得适宜于高品质氮化铝晶体快速制备的理想热场.

中图分类号:

O782
TN304.2

武红磊;郑瑞生;李萌萌;闫征;郑伟;徐百胜. 升华法生长氮化铝晶体的热场分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2275-2279.

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