磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (2): 226-229.

磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜

梁朝旭;李帅帅;王雪霞;李延辉;宋淑梅;杨田林

山东大学(威海),威海,264209

出版日期:2013-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山东省自然科学基金(ZR2009AM020);山东大学自主创新基金(2011ZRXT002,2011ZRYQ010)

Preparation of IGZO Amorphous Transparent Conductive Thin Films by RF Magnetron Sputtering

LIANG Chao-xu;LI Shuai-shuai;WANG Xue-xia;LI Yan-hui;SONG Shu-mei;YANG Tian-lin

Online:2013-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了IGZO薄膜,研究了IGZO薄膜的性质和制备工艺条件.重点研究了射频功率对IGZO薄膜的结构特性、光电特性的影响以及厚度对薄膜电阻率的影响.制备的IGZO薄膜最高品质因子为1.94×10-3Ω-1,对应的薄膜电阻率和透过率分别为2.6×10-3Ω·cm和87.2;.

中图分类号:

TN304.2

梁朝旭;李帅帅;王雪霞;李延辉;宋淑梅;杨田林. 磁控溅射法制备非晶IGZO透明导电薄膜[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(2): 226-229.

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