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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (3): 413-417.

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硅单晶中空位团形成能的分子动力学模拟

王进;关小军;曾庆凯;张向宇   

  1. 山东大学材料液固结构演变与加工教育部重点实验室,济南250061;山东大学材料科学与工程学院,济南250061
  • 出版日期:2013-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    高等学校博士学科点专项科研基金(200804220021)

Molecular Dynamics Simulation on Formation Energy of Vacancy Cluster in Silicon Crystal

WANG Jin;GUAN Xiao-jun;ZENG Qing-kai;ZHANG Xiang-yu   

  • Online:2013-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 为了获得硅单晶中空位团的形成能以及有关因素的影响规律,采用分子动力学方法进行了模拟计算和分析,揭示了模型体系大小、空位团构型和空位数目对空位团形成能的影响规律和机理.结果表明:总体上,模型体系大小和空位团构型对空位团形成能的影响不大;3 ×3 ×3模型更适合于硅单晶空位形成能的计算和分析;当空位数目≤5时,最小空位团形成能随空位数目增大而线性增加;空位团形成能实质上主要取决于所需破坏的Si-Si键数目及键能.

关键词: 硅单晶;形成能;空位团;分子动力学

中图分类号: