PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (4): 577-581.

PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究

郭文涛;谭满清;焦健;郭小峰;孙宁宁

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083

出版日期:2013-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Improving the Compactness of SiO2 Thin Film by PECVD

GUO Wen-tao;TAN Man-qing;JIAO Jian;GUO Xiao-feng;SUN Ning-ning

Online:2013-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响.实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌.通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜.

中图分类号:

O484.5

郭文涛;谭满清;焦健;郭小峰;孙宁宁. PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 577-581.

GUO Wen-tao;TAN Man-qing;JIAO Jian;GUO Xiao-feng;SUN Ning-ning. Study on Improving the Compactness of SiO2 Thin Film by PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(4): 577-581.

[1]	李若楠;边慧敏;张凯;李朋;李玉平;韩培德. 大面积垂直取向介孔二氧化硅薄膜的制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(7): 1236-1241.
[2]	徐继平;程凤伶. 电化学C-V法研究掺硅GaAs材料载流子浓度的分布[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(9): 2347-2351.
[3]	赵飞;杨雯;陈小波;袁俊宝;杨培志. 衬底温度对含硅量子点的SiCx薄膜结构及其光学特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2044-2049.
[4]	张瑜;朱宁;陈凯玉. 细胞色素c在硼掺杂金刚石电极上的电化学特性研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(11): 2293-2297.
[5]	杨胶溪;李成明;陈广超;吕反修;唐伟忠;宋建华;佟玉梅. 直流电弧等离子体喷射化学气相沉积高质量金刚石膜残余应力分布的垃曼谱分析[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(4): 674-678.
[6]	居建华;夏义本;王林军;吴汶海;汤定元. 类金刚石薄膜碲镉汞红外器件钝化膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2000, 29(3): 253-256.