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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 847-850.

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升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

刘熙;高攀;严成锋;孔海宽;忻隽;陈建军;施尔畏   

  1. 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050
  • 出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院上海硅酸盐研究所科技创新项目

Effects of Temperature Rising Program on the Graphitization of Seed Crystal during the Initial Growth of 6H-SiC Crystal

LIU Xi;GAO Pan;YAN Cheng-feng;KONG Hai-kuan;XIN Jun;CHEN Jian-jun;SHI Er-wei   

  • Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应;同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.

关键词: 碳化硅;生长速率;有限元

中图分类号: