碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (5): 856-859.

碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响

石彪;刘学超;周仁伟;杨建华;郑燕青;施尔畏

中国科学院上海硅酸盐研究所,上海201899;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,201899

出版日期:2013-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金青年基金项目(51002176);中国科学院重要方向项目(KJCX2-EW-W10)

Effects of Carbonization Temperature on the Crystal Quality and Surface Morphology of Heteroepitaxial 3C-SiC Films

SHI Biao;LIU Xue-chao;ZHOU Ren-wei;YANG Jian-hua;ZHENG Yan-qing;SHI Er-wei

Online:2013-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以Si(100)为衬底,利用水平式常压冷壁化学气相沉积(APCVD)系统在不同温度(1100～1250℃)下制备的“缓冲层”上生长了3C-SiC薄膜.结果表明,薄膜为外延生长的单一3C-SiC多型,薄膜表面呈现“镶嵌”结构特征,Si/3C-SiC界面平整无孔洞.碳化温度对薄膜的结晶质量和表面粗糙度有显著的影响,当碳化温度低于或高于1200℃时,薄膜的结晶质量有所降低,且随着碳化温度的升高,薄膜表面粗糙度呈现增大的趋势.当在1200℃下制备的“缓冲层”上生长薄膜时,可以获得最优质量的3C-SiC外延膜,其(200)晶面摇摆曲线半峰宽约为0.34°,表面粗糙度约为5.2nm.

中图分类号:

石彪;刘学超;周仁伟;杨建华;郑燕青;施尔畏. 碳化温度对异质外延3C-SiC薄膜结晶质量及表面形貌的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(5): 856-859.

SHI Biao;LIU Xue-chao;ZHOU Ren-wei;YANG Jian-hua;ZHENG Yan-qing;SHI Er-wei. Effects of Carbonization Temperature on the Crystal Quality and Surface Morphology of Heteroepitaxial 3C-SiC Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(5): 856-859.

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