Sb2O3掺杂对Pr6O11压敏电阻微结构和电学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (6): 1041-1045.

Sb2O3掺杂对Pr6O11压敏电阻微结构和电学性能的影响

王秀芳;李统业

西南交通大学峨眉校区,峨眉,614202;西南交通大学材料学院,成都,610031

出版日期:2013-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部"春晖计划"资助项目(Z2011120);中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(SWJTU2011BR018)

Effect of Sb2O3 Doping on the Microstructure and Electrical Properties of Pr6O11 Varistors

WANG Xiu-fang;LI Tong-ye

Online:2013-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用传统陶瓷工艺制备了Sb2O3掺杂的Pr6O11压敏电阻,并利用现代分析测试技术对其微结构和电学性能进行了研究.样品的相结构比较简单,除了Pr6O11主相外,未发现明显的第二相.样品的相对密度及晶粒尺寸随着Sb2O3掺杂量的提高而降低.非线性系数、压敏电压和晶界电阻都呈现出先降低后增加的趋势,非线性系数最高可达134.分析表明,Sb掺杂不与Pr6O11发生固相反应,其高温分解所产生的蒸汽压会降低Pr6O11压敏电阻的相对密度、晶粒尺寸及势垒高度,电学性能的变化要归结于相对密度、晶粒尺寸及势垒高度的共同作用.

中图分类号:

TB34

王秀芳;李统业. Sb2O3掺杂对Pr6O11压敏电阻微结构和电学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1041-1045.

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