Mg离子掺杂对含锆铋基焦绿石材料介电弛豫性能影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (6): 1120-1125.

Mg离子掺杂对含锆铋基焦绿石材料介电弛豫性能影响

赵岑;杜慧玲;史翔;王瑾;杜娴

西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

出版日期:2013-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51072162);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-1044)

Effects of Mg2+ Doping on Dielectric Relaxation Characteristics of Bismuth-based Pyrochlores Containing Zr

ZHAO Cen;DU Hui-ling;SHI Xiang;WANG Jin;DU Xian

Online:2013-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用固相反应法制备陶瓷(Bi1.5Zn0.5-xMgx)(Zr1.5Nb0.5)O7(BZMZN)(x=0.1、0.2、0.3、0.5),研究Mg2+取代对材料结构、组成、介电性能以及弛豫特性的影响.X射线衍射分析表明,当Mg2+从部分至完全取代Zn2+,均合成了立方焦绿石主晶相结构,并有微量Bi12MgO19相产生.随着Mg2+取代量的增加材料介电常数和介电损耗略有下降.材料在-150℃左右具有明显的介电弛豫特征,对其弛豫过程进行拟合与计算,并结合价键理论探讨了BZMZN系焦绿石的低温介电弛豫机制,这种弛豫源于材料结构中A位离子的不均匀分布及A位离子与O'位离子的本征跃迁过程.

中图分类号:

TB303

赵岑;杜慧玲;史翔;王瑾;杜娴. Mg离子掺杂对含锆铋基焦绿石材料介电弛豫性能影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(6): 1120-1125.

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