镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (7): 1330-1335.

镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光

卢赛;王茺;王文杰;杨宇

云南大学光电信息材料研究所,昆明,650091

出版日期:2013-07-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(10964016,10990103,11274266);教育部科学技术重点项目(210207);云南大学校级理工基金项目(2012CG008)

Ultraviolet Photoluminescence of SiC Nanocrystal Embedded in Silica Wafers

LU Sai;WANG Chong;WANG Wen-jie;YANG Yu

Online:2013-07-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 将剂量为2×1016 cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理.从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV.其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关.而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰.在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷.

中图分类号:

TN304
O434.2

卢赛;王茺;王文杰;杨宇. 镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1330-1335.

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