改良西门子法多晶硅产品质量分析

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (8): 1492-1497.

改良西门子法多晶硅产品质量分析

曹礼强;赵北君;刘林

四川大学材料科学系,成都610064;峨眉半导体材料研究所,峨眉山614200;四川大学材料科学系,成都,610064;峨眉半导体材料研究所,峨眉山,614200

出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-20

Quality Analysis of Polycrystalline Silicon Produced by Modified Siemens Process

CAO Li-qiang;ZHAO Bei-jun;LIU Lin

Online:2013-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道了改良西门子法获得的优质多晶硅产品质量检测数据；对影响多晶硅产物质量的各种因素,包括原料混合气进料量变化,还原炉内生长温度,生长过程中AEG电气的电压、电流变化,以及中间产品精制三氯氢硅、氢气的质量等进行了分析讨论.研究结果对于稳定生长高质量多晶硅具有重要参考价值.

中图分类号:

TN304.1

曹礼强;赵北君;刘林. 改良西门子法多晶硅产品质量分析[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1492-1497.

CAO Li-qiang;ZHAO Bei-jun;LIU Lin. Quality Analysis of Polycrystalline Silicon Produced by Modified Siemens Process[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(8): 1492-1497.

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