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人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (8): 1537-1542.

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选择性刻蚀碳化硅制备金刚石的研究

王正鑫;卢文壮;黄群超;王晗;胥军;左敦稳   

  1. 南京航空航天大学机电学院,南京210016;江苏省精密与微细制造技术重点实验室,南京210016;南京航空航天大学机电学院,南京,210016
  • 出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51075211、51275230);教育部博士点基金项目(20113218110018);江苏省高校优势学科建设工程资助项目

Preparation of Silicon Carbide Derived Diamond by Selective Etching

WANG Zheng-xin;LU Wen-zhuang;HUANG Qun-chao;WANG Han;XU Jun;ZUO Dun-wen   

  • Online:2013-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 在高温下Cl2+ H2体系可促使SiC转化为金刚石.论文从热力学角度分析了Cl2选择性亥蚀SiC制备金刚石时,Cl2和H2对sp2、sp3杂化形式的C-C键的作用机制,从理论上推导了SiC转化为金刚石的气源中Cl2、H2比例范围.建立了SiC结构向金刚石结构转变时形成金刚石团簇的理论模型,根据该模型解释了SCDD膜的增厚机制.

关键词: 金刚石;碳化硅;氯气;热力学;选择性刻蚀

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