模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (8): 1568-1573.

模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响

张研研;任瑞晨;史力斌

辽宁工程技术大学矿业学院,阜新123000;渤海大学新能源学院,锦州121013;辽宁工程技术大学矿业学院,阜新,123000;渤海大学新能源学院,锦州,121013

出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
辽宁省自然科学基金(201102004)

Influence of Band Gap and Defect State of Emitter Layer on the Performance of HIT Solar Cell by Simulation and Analysis

ZHANG Yan-yan;REN Rui-chen;SHI Li-bin

Online:2013-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 运用美国滨州大学研发的AMPS-1D程序,模拟计算了发射层对n型衬底上有背场的非晶硅/单晶硅异质结太阳电池光伏性能的影响.结果表明当发射层隙间缺陷态密度大于发射层掺杂浓度并达到一定值时,太阳电池的开路电压和填充因子将大幅度降低,从而导致电池的转换效率迅速衰减.发射层的带隙越大,电池的短路电流越大,而带尾宽度越宽,电池的开路电压越低,二者应达到最佳的匹配值才能使太阳电池达到更高的转换效率.

中图分类号:

TK511.4

张研研;任瑞晨;史力斌. 模拟分析发射层带隙及缺陷态对HIT太阳电池性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1568-1573.

ZHANG Yan-yan;REN Rui-chen;SHI Li-bin. Influence of Band Gap and Defect State of Emitter Layer on the Performance of HIT Solar Cell by Simulation and Analysis[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(8): 1568-1573.