超临界CO2技术制备超细SiO2的研究

人工晶体学报 ›› 2013, Vol. 42 ›› Issue (8): 1712-1717.

超临界CO2技术制备超细SiO2的研究

丁涌;宋丽贤;宋英泽;芦艾;周玉丰

四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,绵阳,621010;四川省非金属复合与功能材料重点实验室-省部共建国家重点实验室培育基地,绵阳621010;中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳621900

出版日期:2013-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技支撑计划(2011BAA04B04);生物质材料教育部工程研究中心项目(09zxbk09)

Preparation of Ultrafine Silica by Supercritical Carbon Dioxide Technology

DING Yong;SONG Li-xian;SONG Ying-ze;LU Ai;ZHOU Yu-feng

Online:2013-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文以水玻璃为硅源,利用超临界CO2(sc CO2)技术制备出超细SiO2粉体,研究了压力、温度对超细SiO2粒子粒径和Zeta电位的影响,采用Zeta电位及激光粒度分析仪、X射线衍射(XRD)、自动吸附仪等测试方法对粉体的结构和性能进行了分析表征.结果表明:当压力为8 MPa,温度为50℃时,所得超细SiO2粒子粒径分布较窄且平均粒径最小,为472.9 nm,且Zeta电位取得较小值,为-55.68 mV；所得超细SiO2粒子属于非晶态,且与市售的T36-5 SiO2粒子相比,其孔结构更加致密.

中图分类号:

O643

丁涌;宋丽贤;宋英泽;芦艾;周玉丰. 超临界CO2技术制备超细SiO2的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(8): 1712-1717.

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