钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (1): 188-192.

钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算

陈俊;王希恩;严非男;梁丽萍;耿滔

上海理工大学理学院,上海,200093

出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61008044)

Computer Simulating Calculation of Intrinsic Defects in CdMoO4 Crystal

CHEN Jun;WANG Xi-en;YAN Fei-nan;LIANG Li-ping;GENG Tao

Online:2014-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用GULP计算软件拟合了CdMoO4晶体势参数,在此基础上研究了该晶体的本征点缺陷,计算了本征点缺陷的生成能.结果表明,在CdMoO4晶体生长过程中,孤立缺陷主要以肖特基缺陷的形式(Vo2+和Vcd2-)存在.晶体中氧的夫伦克儿缺陷具有较低的生成能,是CdMoO4晶体的主要缺陷类型.Cd的夫伦克儿缺陷在高温条件下将起重要作用,由氧空位引起的F心和F+心与700 nm吸收带的形成有关.

中图分类号:

O483

陈俊;王希恩;严非男;梁丽萍;耿滔. 钼酸镉晶体本征点缺陷的计算机模拟计算[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(1): 188-192.

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