摘要: 利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的品格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构.氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响.
中图分类号:
郭保智;刘永生;武新芳;房文健;彭麟;高湉. ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(1): 211-216.
GUO Bao-zhi;LIU Yong-sheng;WU Xin-fang;FANG Wen-jian;PENG Lin;GAO Tian. First-principles Study on the Interaction between Oxygen Vacancies of ZnO and Doping Atoms[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(1): 211-216.