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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (1): 211-216.

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ZnO氧空位与掺杂原子相互作用第一性原理研究

郭保智;刘永生;武新芳;房文健;彭麟;高湉   

  1. 上海电力学院太阳能研究所,上海200090;上海电力学院环境与化学工程学院,上海200090;上海电力学院太阳能研究所,上海,200090
  • 出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(11374204,11204171);上海市青年科技启明星计划(跟踪)(11QH140100);上海市科委重点项目(12JC1404400,11160500700)

First-principles Study on the Interaction between Oxygen Vacancies of ZnO and Doping Atoms

GUO Bao-zhi;LIU Yong-sheng;WU Xin-fang;FANG Wen-jian;PENG Lin;GAO Tian   

  • Online:2014-01-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用第一性原理对Ag,N,K三种不同族元素掺杂氧化锌的电子结构进行了研究,计算了完整晶胞和存在氧空位缺陷时掺杂晶胞的品格结构、氧空位形成能、态密度及能带结构.氧空位会使受主掺杂的晶格常数及晶胞体积变大;在钾掺杂的晶胞中氧空位的形成能更低,更容易产生氧空位;三种不同的掺杂体系中,Ag掺杂的空穴电导率最高;最后分析了氧空位对三种掺杂体系导电性的影响.

关键词: ZnO;掺杂;氧空位;第一性原理

中图分类号: