Ni离子注入SiO2的表面形貌和光学吸收性能研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (1): 74-78.

Ni离子注入SiO2的表面形貌和光学吸收性能研究

金腾;宁来元;申艳艳;高洁;于盛旺;贺志勇

太原理工大学表面工程研究所,太原,030024

出版日期:2014-01-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
山西省回国留学人员科研资助项目(2013-048);国家自然科学基金(51071106);山西省自然科学基金(2013011012-4);山西省自然科学基金(2012011021-4)

Study on Surface Morphology and Optical Absorption Properties of Ni Ions Implanting SiO2

JIN Teng;NING Lai-yuan;SHEN Yan-yan;GAO Jie;YU Sheng-wang;HE Zhi-yong

Online:2014-01-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 室温下,将能量为60 keV,剂量范围在1×1016～1×1017/cm2的Ni离子注入到SiO2中.随后将样品在Ar气中退火(400 ～ 1000℃).采用原子力显微镜(AFM),掠入射X射线衍射(GXRD),紫外-可见分光光度计(UV-Vis)对退火前后样品的表面形貌,Ni纳米颗粒的形成和热演变过程以及样品光吸收性能进行分析表征.结果表明:剂量为1×1016/cm2的样品退火前后均未能形成纳米颗粒;剂量为5×1016/cm2和1×1017/cm2的样品中形成了纳米颗粒,退火后颗粒长大,样品表面凸起(Ni纳米颗粒)高度增加,数量减少.SiO2中Ni纳米颗粒的光吸收带在310～ 520 nm,800℃后光吸收带变得明显且伴随峰位蓝移.经1000℃退火后,Ni纳米颗粒被热分解的O氧化为NiO纳米颗粒,NiO纳米颗粒的光吸收带位于300 nm附近.

中图分类号:

金腾;宁来元;申艳艳;高洁;于盛旺;贺志勇. Ni离子注入SiO2的表面形貌和光学吸收性能研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(1): 74-78.

JIN Teng;NING Lai-yuan;SHEN Yan-yan;GAO Jie;YU Sheng-wang;HE Zhi-yong. Study on Surface Morphology and Optical Absorption Properties of Ni Ions Implanting SiO2[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(1): 74-78.