硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2641-2645.

硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究

王世杰;代秀红;贾长江;张磊;贾艳丽;刘保亭

河北大学物理科学与技术学院,河北省光电信息材料重点实验室,保定071002;河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11374086);河北省自然科学基金(E2014201188,E2012201035,E2014201063)

Study on Leakage Mechanism of Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt Capacitor Measured at Different Temperatures

WANG Shi-jie;DAI Xiu-hong;JIA Chang-jiang;ZHANG Lei;JIA Yan-li;LIU Bao-ting

Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用脉冲激光沉积技术在Pt(111)/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上生长了厚度约为200 nm的Ba0.6 Sr04TiO3(BST)薄膜,构架了Pt/BST/Pt平行板电容器,测量了Ba06Sr0.4TiO3薄膜电容器在不同温度下的漏电流,研究了BST薄膜的结构和性能.结果表明BST薄膜为多晶钙钛矿结构,随着测量温度的降低,漏电流密度也随之降低,但是正负偏压下的J-V曲线并不对称,这主要归因于上下Pt电极与BST的界面热处理不同.通过不同导电机理对漏电流密度拟合发现,在负向偏置电压下,Pt/BST/Pt电容器均基本符合欧姆导电机制;而对于正向偏置电压,在低电压下符合欧姆导电机制,并且符合欧姆导电机制的电压范围在不断扩大,在高电压下符合空间限制电流(SCLC)导电机制.

中图分类号:

O484

王世杰;代秀红;贾长江;张磊;贾艳丽;刘保亭. 硅基Pt/Ba0.6Sr0.4TiO3/Pt电容器不同温度下的漏电机理研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2641-2645.

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