基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (10): 2699-2704.

基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究

李赟;赵志飞;陆东赛;朱志明;李忠辉

南京电子器件研究所,微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京210016

出版日期:2014-10-15 发布日期:2021-01-20

Uniformity Control for 100 mm 4° SiC Epilayers Based on Orthogonal Experiment

LI Yun;ZHAO Zhi-fei;LU Dong-sai;ZHU Zhi-ming;LI Zhong-hui

Online:2014-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用行星热壁式SiC外延炉对100 mm 4°偏轴4H-SiC衬底外延工艺进行了研究.分析了氢气预刻蚀工艺对4°偏轴衬底外延材料表面形貌的影响.采用双指标正交实验,通过极差分析的方法研究了C/Si比、Cl/Si比、主氢流量、生长温度、三路气体比等工艺参数对SiC外延厚度和掺杂浓度均匀性指标影响的主次顺序,并给出了优化的外延参数.采用该工艺条件制得的无台阶聚集形貌的SiC外延片片内厚度均匀性和浓度均匀性分别是1.23;和3.32;.

中图分类号:

李赟;赵志飞;陆东赛;朱志明;李忠辉. 基于正交实验的100 mm4°偏轴SiC衬底外延均匀性研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(10): 2699-2704.

LI Yun;ZHAO Zhi-fei;LU Dong-sai;ZHU Zhi-ming;LI Zhong-hui. Uniformity Control for 100 mm 4° SiC Epilayers Based on Orthogonal Experiment[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(10): 2699-2704.

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