摘要: 采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.
中图分类号:
何杰;王涛;赵清华;王茂;王苗;介万奇. 二维层状GaTe的晶体结构研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3059-3062.
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