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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3059-3062.

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二维层状GaTe的晶体结构研究

何杰;王涛;赵清华;王茂;王苗;介万奇   

  1. 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(50902114);凝固技术国家重点实验室自主研究课题青年重点项目(94-QZ-2014)

Study on Crystal Structure of Two-dimensional Layered GaTe

HE Jie;WANG Tao;ZHAO Qing-hua;WANG Mao;WANG Miao;JIE Wan-qi   

  • Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用布里奇曼法生长出了化合物半导体GaTe,并对其晶体结构进行研究.利用X射线衍射仪对GaTe粉末和块体试样分别进行测试,确定了其晶体结构.采用透射电子显微镜对二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe进行观测,并结合晶体定向仪对GaTe解理面进行了定向分析.结果表明,二维薄膜GaTe及二维纳米层GaTe分别对应单斜和六方两种不同的晶体结构,并对应不同的解理面.

关键词: GaTe;布里奇曼法;二维纳米层;解理面

中图分类号: