直流电弧等离子体喷射法制备氮化碳薄膜研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3068-3073.

直流电弧等离子体喷射法制备氮化碳薄膜研究

孟兆升;相炳坤;王仕杰;李文帅;熊鹰;解晖;余琦佩

南京航空航天大学机电学院,南京,210016

出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51275232);南京航空航天大学研究生创新基地(实验室)开放基金(kfjj201434);南京航空航天大学大学生创新基金(2014CX00617);中央高校基本科研业务费专项资金

Research on Preparation of Carbon Nitride Films by DC Arc Plasma Jet Method

MENG Zhao-sheng;XIANG Bing-kun;WANG Shi-jie;LI Wen-shuai;XIONG Ying;XIE Hui;YU Qi-pei

Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以H2、N2和CF4气体为前驱体,用直流电弧等离子体喷射设备在不同基底温度条件下于钼/金刚石过渡层基底上制备了氮化碳薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、X射线衍射仪(XRD)对表面形貌和组织成分进行了表征.结果表明,当基底温度为900℃时,所沉积材料已初具晶型;所沉积材料含有α-C3N4和β-C3N4相成分.同时,提出在金刚石表面制备氮化碳时金刚石相刻蚀和氮化碳相生长同时进行的模型,较好地解释了不同基底温度条件下的膜材料沉积现象.

中图分类号:

O613.7
O484

孟兆升;相炳坤;王仕杰;李文帅;熊鹰;解晖;余琦佩. 直流电弧等离子体喷射法制备氮化碳薄膜研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3068-3073.

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