热处理对稀磁半导体Al1-xCuxN薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3074-3079.

热处理对稀磁半导体Al1-xCuxN薄膜性能的影响

柯兴宇;季小红

华南理工大学材料科学与工程学院,广州,510640

出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51102098);中央高校基本科研业务费专项基金(2012ZZ0012)

Effect of Heat Treatment on the Properties of Diluted Magnetic Semiconductor Al1-xCuxN Thin Film

KE Xing-yu;JI Xiao-hong

Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用磁控溅射法,在蓝宝石衬底上沉积Al1-xCuxN薄膜样品,并对样品进行退火处理.利用X-射线衍射仪和超导量子干涉仪分别研究了退火前后薄膜的结构和磁性能.研究发现退火处理工艺有效地改善了样品的结晶特性和铁磁性:Al1-xCuxN从非晶薄膜转变为多晶薄膜;950℃、氮气气氛退火处理后样品的最大饱和磁矩增加到原来的两倍,约为5.16 emu/cm3.结合X射线光电子能谱和光致发光性能分析,Al1-xCuxN铁磁性来源于Cu原子与其最近邻的N原子之间的p-d杂化和N原子周围缺陷位置极化共同作用.

中图分类号:

O471
O484

柯兴宇;季小红. 热处理对稀磁半导体Al1-xCuxN薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3074-3079.

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