δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (12): 3151-3156.

δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响

王科范;王珊;谷城

河南大学物理与电子学院,开封475004;中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京100083;河南大学物理与电子学院,开封,475004

出版日期:2014-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国博士后面上项目(20100470529);国家自然科学基金(61204002)

Effect of Si δ Doping on InAs/GaAs Quantum Dots Solar Cells

WANG Ke-fan;WANG Shan;GU Cheng

Online:2014-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在InAs/GaAs量子点的自组装生长阶段,采用δ掺杂技术对量子点进行不同浓度的Si掺杂,可以使得量子点的室温光致发光峰强度大幅提高,其原因是掺杂的Si原子释放电子钝化了周围的非辐射复合中心.这种掺杂也应用到了量子点太阳电池中,结果表明电池开路电压从0.72 V提高到了0.86 V,填充因子从60.4;提高到73.2;,短路电流从26.9 mA/cm2增加到27.4 mA/cm2.优化的Si掺杂可将量子点太阳的电池效率从11.7;提升到17.26;.

中图分类号:

TM914.4+2

王科范;王珊;谷城. δ掺杂Si对InAs/GaAs量子点太阳电池的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3151-3156.

WANG Ke-fan;WANG Shan;GU Cheng. Effect of Si δ Doping on InAs/GaAs Quantum Dots Solar Cells[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(12): 3151-3156.

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