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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (3): 508-512.

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热屏结构对大直径单晶硅生长影响的数值分析

滕冉;常青;吴志强;汪丽都;戴小林;肖清华;姜舰;张果虎;周旗钢   

  1. 北京有色金属研究总院,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京100088;有研半导体材料股份有限公司,北京,100088
  • 出版日期:2014-03-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家科技重大专项项目(2009ZX02011)

Numerical Analysis of the Effect of Heat Shield Structure on Growth of Large Diameter Monocrystalline Silicon

  • Online:2014-03-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用有限元法计算了300 mm硅单晶生长过程中,热屏结构对炉体内温度分布、熔体中流场以及晶体内热应力的影响.计算所用的模型涵盖了晶体生长过程中的主要物理现象,包括结晶潜热的释放、结晶前沿的形变、熔体中热和质的传输以及氧的输运等.计算结果表明使用直壁式热屏时,晶体-熔体界面变得更加平坦同时结晶前沿处的热应力大幅度下降,减少了发生宏观位错的可能性,此外熔体中的氧含量显著降低.

关键词: 单晶硅;有限元法;热屏

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