含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 811-814.

含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性

娄建忠;贾长江;郝华;张二鹏;史守山;闫小兵

河北大学电子信息工程学院,保定,071002

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60876055,11074063);河北省自然科学基金(E2013201176);河北省高等学校科学研究项目(ZH2012019);河北大学自然科学基金(2011-219)

Investigation on Resistive Switching Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films with Ag Electrode

LOU Jian-zhong;JIA Chang-jiang;HAO Hua;ZHANG Er-peng;SHI Shou-shan;YAN Xiao-bing

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了非晶InGaZnO4(α-IGZO)薄膜,利用直流磁控溅射法制备的Ag金属薄膜作为反应上电极,构建了Ag/非晶InGaZnO4(α-IGZO)/Pt结构的阻变存储器件单元.所制备的器件具有双极型阻变特性,写入时间仅为107 ns,经过300次循环开关后,器件仍显示良好的开关效应.对置于高低阻态的器件使用5 mV横电压测量其电阻,电阻值经过1.2×104 s无明显衰减趋势,表明器件具有较好的保持特性.阻变开关机制归因于在外加电场的作用下,由于电化学反应,使得Ag导电细丝在存储介质α-IGZO薄膜中形成和溶解.

中图分类号:

O484

娄建忠;贾长江;郝华;张二鹏;史守山;闫小兵. 含Ag电极的非晶In-Ga-Zn-O薄膜的阻变开关特性[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 811-814.

LOU Jian-zhong;JIA Chang-jiang;HAO Hua;ZHANG Er-peng;SHI Shou-shan;YAN Xiao-bing. Investigation on Resistive Switching Characteristics of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin Films with Ag Electrode[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 811-814.

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