PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 829-833.

PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

滕家琪;闵嘉华;梁小燕;周捷;张涛;时彬彬;杨升;曾李骄开

上海大学电子信息材料系,上海,200072

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11275122);上海市科委重点项目(11530500200);上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096)

Photo-Induced Current Transient Spectroscopy(PICTS) of Deep Level Defects in CdZnTe Crystal

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间.利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是VCd2-和A中心(InCd+-VCd2-)-.

中图分类号:

TB34

滕家琪;闵嘉华;梁小燕;周捷;张涛;时彬彬;杨升;曾李骄开. PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 829-833.

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PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷

Photo-Induced Current Transient Spectroscopy(PICTS) of Deep Level Defects in CdZnTe Crystal

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