钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 845-851.

钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响

顾锦华;汪浩;兰椿;钟志有;孙奉娄;杨春勇;侯金

中南民族大学计算与实验中心,武汉,430074;中南民族大学电子信息工程学院,武汉,430074;中南民族大学电子信息工程学院,武汉430074;中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉430074;中南民族大学智能无线通信湖北省重点实验室,武汉,430074

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61002013,11147014);湖北省自然科学基金(2013CFA052,2011CDB418);中南民族大学学术团队基金(XTZ09003);中南民族大学研究生创新基金(chxxyz120023);中央高校基本科研业务费专项资金(CZW2014019)

Effect of Ti Doping on the Properties of ZnO∶Ti Transparent Conducting Thin Films

GU Jin-hua;WANG Hao;LAN Chun;ZHONG Zhi-you;SUN Feng-lou;YANG Chun-yong;HOU Jin

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 以不同钛掺杂含量的氧化锌陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射工艺在玻璃基片上沉积了Ti掺ZnO(TZO)透明导电薄膜,通过XRD、XPS、分光光度计和霍尔效应测试系统,研究了钛掺杂含量对TZO薄膜微观结构和光电特性的影响.结果表明:所有TZO薄膜均为六角纤锌矿结构,并且具有(002)择优取向,钛掺杂含量对薄膜性能具有明显的影响.当钛掺杂含量为3wt;时,TZO薄膜的结晶质量最好、可见光平均透过率最高、电阻率最低、品质因数最大(748.15 S/cm),具有最佳的光电综合性能.TZO薄膜的光学带隙随钛掺杂含量增加而单调增大.

中图分类号:

O484

顾锦华;汪浩;兰椿;钟志有;孙奉娄;杨春勇;侯金. 钛掺杂对ZnO∶Ti透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 845-851.

GU Jin-hua;WANG Hao;LAN Chun;ZHONG Zhi-you;SUN Feng-lou;YANG Chun-yong;HOU Jin. Effect of Ti Doping on the Properties of ZnO∶Ti Transparent Conducting Thin Films[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 845-851.

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