铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (4): 857-861.

铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响

刘湘龙;李晓云;杨建;丘泰

南京工业大学材料科学与工程学院,南京,210009

出版日期:2014-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
江苏高校优势学科建设工程;长江学者和创新团队发展计划

Effects of Chromium Doping on the Insulator Properties in Vacuum of Alumina

LIU Xiang-long;LI Xiao-yun;YANG Jian;QIU Tai

Online:2014-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 陶瓷绝缘子沿面闪络现象是制约电真空器件使用的重要原因.以95;的Al2O3陶瓷为基料,掺杂0～1.5wt; Cr2O3,制备铬掺杂的氧化铝陶瓷绝缘子,研究了铬的掺杂含量对该绝缘材料烧结性能和真空绝缘性能的影响.结果表明:Cr3+掺杂显著降低了95;氧化铝陶瓷的气孔率,促进了陶瓷的烧结,并降低了陶瓷的烧结温度,使铬掺杂氧化铝陶瓷的晶粒更加细小均匀.掺杂量为0.5wt;的Cr2O3真空沿面闪络电压最高,达到65 kV/cm,主要原因是铬的掺杂降低了样品的气孔率和二次电子发射系数,过量掺杂造成了更多的晶体结构缺陷,反而降低了陶瓷绝缘子的真空耐电压.

中图分类号:

刘湘龙;李晓云;杨建;丘泰. 铬掺杂对氧化铝陶瓷真空电绝缘性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(4): 857-861.

LIU Xiang-long;LI Xiao-yun;YANG Jian;QIU Tai. Effects of Chromium Doping on the Insulator Properties in Vacuum of Alumina[J]. JOURNAL OF SYNTHETIC CRYSTALS, 2014, 43(4): 857-861.