SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1017-1022.

SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析

于国建;徐明升;胡小波;徐现刚

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100;山东浪潮华光光电子股份有限公司,济南250100

出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(11134006,51321091);山东大学自主创新项目(2012ZD047);国家高技术研究发展计划(863计划)(2011AA050401)

High Resolution X-ray Diffraction Analysis of GaN Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate

YU Guo-jian;XU Ming-sheng;HU Xiao-bo;XU Xian-gang

Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过高分辨X射线衍射(HRXRD)技术,对金属有机化合物气相外延(MOCVD)生长的GaN外延膜及SiC衬底的相对取向,晶格常数和应力情况,位错密度等进行了分析.分析表明,GaN和SiC具有一致的a轴取向,GaN外延层弛豫度超过90;,GaN外延层的晶格常数与体块材料相近,在GaN中存在压应力,SiC衬底和GaN外延层中的位错密度分别为107和108量级.

中图分类号:

O484.4

于国建;徐明升;胡小波;徐现刚. SiC衬底上生长的GaN外延层的高分辨X射线衍射分析[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1017-1022.

YU Guo-jian;XU Ming-sheng;HU Xiao-bo;XU Xian-gang. High Resolution X-ray Diffraction Analysis of GaN Epitaxial Layer Grown on SiC Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1017-1022.

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