氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1037-1042.

氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响

郭向茹;周灵平;彭坤;朱家俊;李德意

湖南大学材料科学与工程学院,长沙,410082

出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
湖南省战略性新兴产业重大科技攻关项目(2011GK4050)

Influence of Oxygen Ions Post Treatment on Electrical and Optical Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Thin Films

GUO Xiang-ru;ZHOU Ling-ping;PENG Kun;ZHU Jia-jun;LI De-yi

Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用氧离子束对电子束蒸发制备且退火后的氧化铟锡(ITO)薄膜进行轰击后处理.经XPS检测发现氧元素在薄膜内含量增加,在深度方向上的梯度差下降.表面Sn4+含量增加,即掺杂离子浓度和载流子浓度提高,从而使薄膜方块电阻显著降低.当氧离子继续轰击时,薄膜的方块电阻保持平稳;同时,透过率曲线蓝移,紫外波段(300～400 nm)的平均透过率提高而可见光范围内(400 ～800 nm)的平均透过率略有下降,这种变化缘于薄膜的禁带宽度与折射率的增加.

中图分类号:

O484

郭向茹;周灵平;彭坤;朱家俊;李德意. 氧离子后处理对氧化铟锡(ITO)薄膜电学和光学性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1037-1042.

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