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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1055-1060.

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ZnO过渡层对Au/Hg3In2Te6肖特基接触特性的影响研究

刘淙元;傅莉;李亚鹏;王晓珍   

  1. 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072
  • 出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(51172185);西北工业大学研究生创业种子基金(Z2013016)

Study on the Effect of ZnO Interlayer on the Au/Hg3In2Te6 Schottky Contact Characteristics

LIU Cong-yuan;FU Li;LI Ya-peng;WANG Xiao-zhen   

  • Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要: 利用脉冲激光沉积技术在Hg3In2Te6晶体表面制备ZnO过渡层,并对ZnO过渡层进行了表征.结合X射线光电子能谱深度剖析对ZnO/Hg3In2Te6界面元素的化合态进行研究,并通过半导体参数分析仪对Au/ZnO/Hg3In2Te6肖特基接触电学特性进行测试.研究结果表明,采用本实验条件可在Hg3In2Te6晶体表面获得结晶度高、表面粗糙度低,且沿(002)晶面择优生长的ZnO过渡层.同时,ZnO过渡层的引入使Au/Hg3In2Te6肖特基接触的漏电流降低一个数量级,势垒高度提高6.5;.这种现象可能是由于ZnO/Hg3In2Te6界面存在的互扩散使O原子占据了Hg原子空位,从而降低耗尽层中能级缺陷而引起.

关键词: Au/Hg3In2Te6;ZnO过渡层;肖特基势垒

中图分类号: