GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1076-1079.

GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长

郝瑞亭;郭杰;刘颖;缪彦美;徐应强

云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京100083;云南师范大学太阳能研究所,可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室,昆明650092;中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室,北京,100083

出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(61006085,61176127);国家国际科技合作重点项目(2011DFA62380);教育部博士点基金(20105303120002);云南省社会发展科技计划(2009CD045)

Growth of GaSb/GaAs Heterojunction Thermal Photovoltaic Cells by MBE

HAO Rui-ting;GUO Jie;LIU Ying;MIAO Yan-mei;XU Ying-qiang

Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 利用分子束外延方法(MBE)在GaAs (001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究.发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高.研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量.

中图分类号:

TN304.2+3

郝瑞亭;郭杰;刘颖;缪彦美;徐应强. GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1076-1079.

HAO Rui-ting;GUO Jie;LIU Ying;MIAO Yan-mei;XU Ying-qiang. Growth of GaSb/GaAs Heterojunction Thermal Photovoltaic Cells by MBE[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(5): 1076-1079.

HTML			PDF

最新录用	在线预览	正式出版	最新录用	在线预览	正式出版
0	0	0	0	0	36

	来源	本网站

	次数	36
	比例	100%

摘要

最新录用	在线预览	正式出版

0	0	15

	来源	本网站

	次数	15
	比例	100%