Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究

人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1086-1091.

Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究

刘文波;傅莉;李亚鹏;王晓珍

西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072

出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(51172185);西北工业大学研究生创业种子基金(Z2013016)

Study on Formation Mechanism of Cu/Hg3In2Te6 Ohmic Contact

LIU Wen-bo;FU Li;LI Ya-peng;WANG Xiao-zhen

Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电流-电压特性测试和X射线光电子能谱测试对Cu/Hg3In2Te6接触特性及其形成机制进行了研究.研究发现,当所加电压不超过10 V时,Cu/Hg3In2Te6接触的电流-电压特性曲线均呈现出良好的线性关系,表现为欧姆接触特性.经拟合,在1V、3V、5V和10 V电压下的Cu/Hg3In2Te6接触的欧姆特性系数分别为0.99995、0.99981、0.99968和0.99950.当电压增加至12 V及以上时,由于Cu/Hg3In2Te6接触势垒被击穿,导致Cu/Hg3In2Te6欧姆接触被破坏.通过X射线光电子能谱深度剖析,发现界面处的元素存在显著的扩散现象,因而导致界面元素的化学环境发生改变,引起了界面上各元素的结合能发生偏移,其中Cu2p结合能向高能方向偏移0.15 eV,而Te3d结合能向低能方向偏移0.15 eV.研究表明界面元素互扩散是促进Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成的主要原因.

中图分类号:

TN304

刘文波;傅莉;李亚鹏;王晓珍. Cu/Hg3In2Te6欧姆接触形成机制的研究[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(5): 1086-1091.

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