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人工晶体学报 ›› 2014, Vol. 43 ›› Issue (5): 1110-1114.

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湿法刻蚀腔室结构数值优化

王伟;向东;杨为;夏焕雄;张瀚   

  1. 重庆大学机械传动国家重点实验室,重庆,400044;清华大学精密仪器与机械学系,北京,100084
  • 出版日期:2014-05-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家科技重大专项(2011Z02403-004)

Numerical Optimization of a Chamber Structure Design for the Wet Etching

WANG Wei;XIANG Dong;YANG Wei;XIA Huan-xiong;ZHANG Han   

  • Online:2014-05-15 Published:2021-01-20

摘要: 为确定某种新型刻蚀机最优的晶圆与喷淋头间距(Gap),通过CFD仿真分析气体在不同Gap腔室内的物质输运分布,并结合乙醇环境下HF酸刻蚀SiO2工艺的物理化学过程,建立了刻蚀速率估算公式,以此分析了不同Gap腔室的刻蚀速率及刻蚀均匀性,最终获得了具有最佳刻蚀效果的腔室结构.研究分析表明:Gap较小时晶圆中心刻蚀速率偏高,Gap较大时晶圆边缘刻蚀速率偏高;平均刻蚀速率随着Gap的增大逐渐降低,而刻蚀不均匀度随Gap增大先减小后增大,在Gap取值70 mm时刻蚀均匀性最佳且刻蚀速率较高.

关键词: 刻蚀腔室;流场仿真;均匀性;刻蚀速率

中图分类号: